Novo recorde de velocidade dos transístores

Pode ser que a tecnologia, recordes de velocidade e outras repimbocas da parafuseta não te atraiam tanto. Mas quando se trata de algo que possa baratear, melhorar e aumentar a velocidade de telefones celulares, microcomputadores, cameras digitais e outros gadgets nossos de uso diário, todos dão ouvido.


Os novos transístores, ainda mais velozes, foram criados por pesquisadores da University of Southampton. O que é ainda melhor é que para esse resultado, foi feita uma simples modificação à tecnologia já existente, o que significa fácil adaptação à fábricas e implantação da “nova” tecnologia em linha de produção.

O aumento de velocidade foi obtido adicionando implantes de fluorine às camadas de silício do transístor, deixando o transístor mais fino e eficiente, atingindo 110GHz, deixando o recorde anterior comendo poeira: eram 70GHz…

@ slashdot via engadget

1 Comentário para “Novo recorde de velocidade dos transístores”

  1. Robert |

    Componente abre caminho para novos circuitos de alta performance.

    Por essa John Bardeen, William Shockley e Walter Brattain, que inventaram o transistor em 1947, quando trabalhavam nos famosos Laboratórios Bell, não podiam esperar. Cientistas da Universidade de Illinois em Urbana-Champaign, nos Estados Unidos, acabam de quebrar o recorde de velocidade para um transistor de maneira surpreendente.

    Com uma freqüência de 845 Gigahertz, o novo dispositivo fez o até então recordista comer poeira, sendo mais de 50% mais veloz. Feito de fosfito de índio e de arseneto de gálio e índio - os transistores tradicionais são de silício ou germânio -, o novo dispositivo se aproxima da marca do terahertz, o “cálice sagrado” que vem sendo buscado por diversos centros de pesquisa na área no mundo.

    Notícia completa: http://forumpcs.com.br/noticia.php?b=193944

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